"테슬라 AI5 수주 후 빅테크 주문 이어져"
구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장이 HBM5 개발 계획을 소개하고 있다. 삼성전자 반도체 뉴스룸 캡처삼성전자가 8세대 고대역폭메모리(HBM5)에 자사 파운드리의 최선단 공정인 2나노(㎚, 1㎚는 10억 분의 1m) 공정 도입을 공식화했다. 지난해 삼성전자가 테슬라의 차세대 인공지능(AI) 칩 AI5 생산을 수주한 뒤 다수의 빅테크로부터 최선단 공정을 활용한 수주가 이어지고 있다고도 밝혔다.
구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 27일 삼성전자 반도체 뉴스룸을 통해 "HBM5는 (이전 세대 제품인) HBM4E보다 동작 속도를 약 50% 이상 향상해야 할 것으로 예상된다"며 "베이스다이(그래픽처리장치, 중앙처리장치와 연결되는 반도체 밑단)에는 동작 속도는 물론 전력 효율 관점에서도 큰 폭의 개선을 이끌어낼 수 있는 최선단 공정을 준비하고 있다"고 말했다. 이어 "HBM5의 베이스다이는 게이트올어라운드(GAA·트랜지스터의 스위치를 사방에서 잡아주는 기술) 구조를 사용하는 2나노 공정을 적용하고 더 높은 집적도의 실리콘 관통 전극(TSV)을 구현할 예정"이라고 밝혔다.
구 부사장은 최근 HBM의 대역폭이 급증하며 베이스다이의 중요성이 커지고 있다고 설명했다. 삼성전자는 HBM4에 처음으로 4나노 파운드리 공정을 활용한 베이스다이를 사용했고, 경쟁사보다 빠르게 시장을 선점했다. 구 부사장은 "삼성전자 HBM은 설계, 제조, 패키징을 모두 삼성전자가 하는 턴키 설루션 제품"이라며 "설계부터 최적화에 유리하고 양산 제품 완성 시간도 단축할 수 있다. 비용 관점에서도 매우 유리하다"고 덧붙였다.
지난해 테슬라와 파운드리 계약 이후 빅테크의 주문이 잇따르고 있다고도 전했다. "테슬라 2나노 제품을 수주하면서 공정 경쟁력을 입증했고, 이를 기점으로 다수의 AI, 고성능 컴퓨팅, 클라우드 사업자 대형 고객사들로부터 수주가 이어지고 있다"는 것이다. "특히 HBM4 베이스다이와 미국 AI 업체의 언어처리장치(LPU) 신제품(엔비디아의 '그록3')에 적용되면서 우수한 성능과 공정 완성도를 인정받아 수요를 견인하고 있다"고 그는 강조했다.