[디지털데일리 배태용기자] SK하이닉스가 시장 일각에서 제기된 대규모 투자에 따른 공급과잉 우려를 정면으로 반박했다. 중장기 설비투자는 고객과의 확정된 장기 수요와 LTA에 기반해 단계적으로 집행된다는 입장이다.
SK하이닉스는 29일 진행된 2026년 2분기 경영실적 컨퍼런스 콜에서 중장기 캐파(생산능력) 투자 전략과 하반기 실적 전망을 공유했다.
회사 측은 "최근 추진 중인 캐파 확대는 주요 고객과의 파트너십 강화를 통해 확보된 가시적 수요에 기반한다"라며 "실제 장비 투자는 수요 가시성과 투자 효율성을 고려해 탄력적으로 집행하는 만큼 중장기 투자가 곧바로 공급과잉으로 이어질 가능성은 제한적"이라고 진단했다.
국내외 생산 거점 전략도 구체화했다. 회사 측은 "이천과 용인은 차세대 D램 및 AI 메모리 핵심 거점으로 육성하고 청주는 낸드와 첨단 패키징 역량을 강화할 것"이라며 "해외 거점은 전력, 용수, 인력, 생태계, 고객 접근성을 종합 검토해 최적안을 결정할 것이며 현재 발표된 것 외 구체화된 신규 인프라는 없다"라고 밝혔다.
하반기 실적 모멘텀에 대해서는 "HBM4 물량이 본격 확대되고 1c 나노미터 기반 일반 D램 출하가 증가하면서 하반기 비트그로스(비트 단위 출하량 증가율)는 상반기보다 높은 수준을 기록할 것"이라며 "출하량 증가와 제품 믹스 개선에 따른 ASP 상승 효과가 결합해 하반기 실적 개선이 한층 강화돼 나타날 것"이라고 밝혔다.
차세대 방열 제어 신기술인 'iHBM'도 최초 공개됐다. 회사 측은 "하이브리드 본딩과 더불어 HBM5 등 차세대 제품의 발열을 제어하기 위해 iHBM 기술을 개발하고 있다"라며 "패키지 내부 냉각 요소를 통합해 열 저항을 기존 기술과 비교해 30% 이상 낮췄다"라고 설명했다.
아울러 "AI 가속기 성능이 고도화될수록 검증된 양산 수율과 품질을 갖춘 파트너 선호도가 높아진다"라며 "차세대 기술 전환을 선도해 HBM 시장 리더십을 견고히 유지할 것"이라고 덧붙였다.