[컨콜] SK하이닉스 "발열 30% 낮춘 'iHBM' 개발…HBM4e 2027년 양산"

요약

HBM4 수율·품질 성숙 단계 진입… 2분기부터 대량 양산 램프업 하이브리드 본딩 넘어 냉각 요소 내재화한 'iHBM'으로 HBM5 리더십 격차 AI 메모리 수요 폭발로 24시간 불이 꺼지지 않는 SK하이닉스 청주 팹.
심야에도 생산 라인이 100% 풀가동되면서 뿜어져 나온 수증기가 공장 위 하늘을 짙게 뒤덮고 있다.
[사진=배태용 기자] [디지털데일리 배...

HBM4 수율·품질 성숙 단계 진입… 2분기부터 대량 양산 램프업

하이브리드 본딩 넘어 냉각 요소 내재화한 'iHBM'으로 HBM5 리더십 격차

AI 메모리 수요 폭발로 24시간 불이 꺼지지 않는 SK하이닉스 청주 팹. 심야에도 생산 라인이 100% 풀가동되면서 뿜어져 나온 수증기가 공장 위 하늘을 짙게 뒤덮고 있다. [사진=배태용 기자]

[디지털데일리 배태용기자] SK하이닉스가 HBM4 수율을 기존 세대 수준으로 안정화한 데 이어 차세대 HBM5 세대에 적용할 방열 신기술인 'iHBM' 개발 사실을 처음으로 공식화했다.

SK하이닉스는 29일 진행된 2026년 2분기 경영실적 컨퍼런스 콜에서 HBM 기술 로드맵과 차세대 경쟁력에 대해 발표했다.

회사 측은 "HBM4는 주요 고객향으로 2분기부터 양산 공급을 시작했으며 수율과 품질이 성숙 단계에 진입한 HBM3E 수준에 근접했다"라며 "현재 안정적으로 공급 캐파를 램프업하는 중"이라고 밝혔다.

이어 "HBM4E 역시 주요 고객 대상 샘플 공급을 완료하고 기술 성숙도와 양산 안정성을 확보한 최적 공정을 적용했다"라며 "계획된 일정에 따라 순조롭게 개발 중이며 2027년 본격 양산을 목표로 하고 있다"라고 전했다.