난야 메모리 반도체 이미지. /난야 제공세계 D램 시장 점유율 1.6%를 차지하는 대만 난야테크놀로지가 2029년까지 최대 107억달러(약 15조원)를 투자해 첨단 D램 생산 능력을 대폭 확충한다.
삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 ‘빅3’가 인공지능(AI)용 고성능 메모리와 첨단 D램에 집중하면서 생긴 DDR4 공급 부족으로 큰 수익을 거두자, 이를 EUV 노광 장비와 새 공장에 재투자해 구형 D램 중심 업체에서 첨단 D램 업체로 도약하겠다는 것이다.
6일 시장조사 업체 트렌드포스에 따르면, 난야는 대만에 짓는 새 D램 공장 ‘Fab 5A’에 2026년부터 2029년까지 최대 3466억대만달러(약 107억달러)를 투자할 계획이다. 대만 D램 업계에서 약 20년 만에 이뤄지는 최대 규모의 단일 투자다. 시장 수요에 따라 단계적으로 투자를 확대할 경우 Fab 5A에 들어가는 전체 투자액은 최대 160억달러까지 늘어날 수 있다.
새 공장에는 EUV 노광 장비가 도입된다. EUV는 극도로 짧은 파장의 빛으로 웨이퍼에 미세 회로를 새기는 장비다. 회로 선폭을 줄여 같은 웨이퍼에서 더 많은 칩을 생산하고, 성능과 전력 효율을 높일 수 있다. 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론 등 D램 빅3도 이미 첨단 D램 생산에 EUV를 활용하고 있다.
난야는 현재 DDR4와 DDR3 등 구형 D램 비율이 높은 업체다. 올해 1분기 기준 세계 D램 시장 점유율은 1.6%로 5위다. 그동안 대만 D램 업체들은 빅3가 첨단 공정으로 이동하며 비워둔 구형 D램 시장을 주로 공략해왔다.
난야는 Fab 5A를 통해 이 구조를 바꾸겠다는 계획이다. 새 공장에서는 10나노급 1b·1c·1d·1e 공정을 순차적으로 도입한다. 현재 1c 공정을 시험 생산 중이며, 1d 공정도 개발 단계다. 전체 매출의 약 10%에 불과한 DDR5 비중을 확대하고, 모바일용 최신 D램인 LPDDR5도 하반기 고객사 인증을 시작할 예정이다.
Fab 5A는 2027년 하반기부터 웨이퍼 생산을 시작한다. 2028년 월 3만장, 2029년 월 3만5900장까지 늘린 뒤 최대 월 4만5000장까지 확대할 계획이다. 웨이퍼는 반도체 칩을 찍어내는 원판이다. 난야는 올해 설비 투자 예산도 520억대만달러에서 697억대만달러로 34% 늘렸고, 추가 자금은 Fab 5A 장비 선급금 등에 투입된다.
이번 대규모 투자의 배경에는 DDR4 가격 급등이 있다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론이 DDR5와 HBM 등 고부가가치 제품으로 생산을 옮기면서 DDR4 공급이 줄었고, 산업용·서버·PC 수요는 유지되며 가격이 급등했다. 구형 D램 비율이 높은 난야에는 오히려 기회가 됐다.
실제 난야의 지난달 매출은 438억7000만대만달러로 전년 대비 719.6% 급증하며 사상 최고치를 기록했다. 전월 대비로도 49.3% 증가했다. 올해 1분기 매출도 DDR4·DDR3 가격 상승과 재고 감소 영향으로 전분기 대비 60% 늘어난 15억5000만달러를 기록했다. 빅3의 첨단 D램 전환으로 생긴 DDR4 특수를 기반으로, 역으로 첨단 D램 시장 진입을 노리는 구조다.