SK하이닉스 미국 생산 거점이 첫 삽을 떴습니다. 완공되면 한국에서 가져간 D램 웨이퍼를 후가공해 최초의 ‘메이드 인 USA’ 고대역폭 메모리(HBM)를 생산합니다.SK하이닉스는 27일(현지시간) 미 인디애나주 웨스트라피엣에서 차세대 HBM 어드밴스드 패키징 공장(팹) 기공식을 열었습니다.
SK하이닉스가 미국에서 건설하는 첫 생산기지로, 오는 2028년 10월 클린룸(패키징이 이뤄지는 공간)을 완공해 이듬해 하반기부터 HBM 양산을 목표로 합니다.
HBM은 베이스 다이(die) 위에 D램 다이를 8~12단으로 쌓은 제품입니다. 메모리 반도체 전공정에서 베이스 다이와 D램 다이 웨이퍼를 만들면, 후공정에서 이를 적층하는 공정으로 최종 생산품을 만듭니다.
미국 패키징 팹이 완성되면 SK하이닉스는 국내에서 생산한 HBM용 베이스 다이·D램 다이 웨이퍼를 가져가 완성품을 만들 계획입니다.
HBM 최대 소비국인 미국은 지금까지 국내에서 HBM을 양산한 적이 없습니다.
이번 팹 착공으로 SK하이닉스는 최신 HBM을 생산할 수 있는 메모리 3사(삼성전자·SK하이닉스·마이크론) 가운데 처음으로 미국산 HBM을 생산하게 됩니다.
2029년 하반기부터 본격적으로 차세대 HBM을 양산해 엔비디아 등 미국 빅테크 고객사에 공급한다는 계획입니다.
곽 사장은 “인디애나 프로젝트는 미 최초 HBM 생산 거점을 구축하는 것”이라며 “메이드 인 USA HBM을 처음 공급하는 핵심 거점이자, 미 반도체 공급망을 강화하고 경제·안보에 기여하는 주요 기반이 될 것”이라고 말했습니다.
AI 기술 패권을 유지하려는 미국이 자국에서 만들어진 HBM을 사용해 AI 가속기를 개발한다는 점에서, ‘미국산’을 강조하는 도널드 트럼프 행정부의 정책 기조에도 부합하는 측면이 있어 보입니다.
SK하이닉스는 인디애나 팹 건설에 약 40억 달러를 투자합니다. 미국 정부는 반도체법(Chips Act·칩스법)에 따라 최대 4억 5천만 달러의 보조금, 5억 달러의 대출을 제공합니다.
유정준 SK그룹 미주총괄 부회장은 2030년까지 그룹 차원에서 450억 달러를 미국에 투자할 계획이라고 밝혔습니다.
곽 사장은 인디애나 팹에서 만들 제품이 7세대인 HBM4E가 될 것이라고 발표했습니다. 현재 SK하이닉스는 이 7세대 칩을 개발 중입니다.
SK하이닉스는 차세대 HBM 개발과 테스트를 위해 인근에 있는 미 퍼듀대학교와 R&D 강화 양해각서(MOU)를 맺기도 했습니다. 이를 통해 퍼듀대의 우수 인재를 유치하겠다는 계획입니다.
공장을 건설 중인 곳도 웨스트라피엣에 있는 퍼듀대 부지입니다. 팹이 본격 가동되면 약 1천 명 규모의 인력이 일하게 될 예정입니다.
팹 건설·운영 인력과 100여 개 협력 소재·부품·장비 공급망을 고려하면 약 7천 명의 직·간접 일자리 창출이 기대된다고 곽 사장은 소개했습니다.
[사진 출처 : 연합뉴스]
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