8세대 제품 HBM5 등 공정 속도
최장석 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)이 1일 대만 타이베이에서 열린 세미콘 타이완 2026에서 메모리 기술 한계 극복을 내건 ‘CUBE’ 전략을 발표하고 있다. 삼성전자 제공 삼성전자가 메모리 반도체의 기술적 한계를 극복하고 차세대 시장 주도권을 공고히 하기 위한 새로운 기술 비전으로 ‘큐브(CUBE)’ 전략을 제시했다. 메모리 성능을 좌우하는 ‘용량(Capacity)’ ‘최적화(Utilization)’ ‘대역폭(Bandwidth)’ ‘전력·열 효율(Efficiency)’ 4개 분야 역량을 끌어올려 초격자 경쟁력을 유지하겠다는 것이다. 최장석 삼성전자 반도체(DS) 부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)은 1일 대만에서 열린 ‘세미콘 타이완 2026’ 기조연설에서 이 같은 전략을 발표했다. 국제반도체장비재료협회(SEMI)가 주관하는 이 행사는 주요 글로벌 반도체 기업이 참가해 설계와 제조, 테스트, 패키징 등 최신 기술을 공유하는 장이다.
최 상무는 용량 확보 방안과 관련해 “이제 더 이상 인쇄회로기판(PCB) 면적에 제한되지 않고 보드 면적을 키우지 않고도 수직으로 확장해 메모리 용량을 늘릴 것”이라고 밝혔다. 삼성전자는 단순히 ‘얼마나 높이 쌓느냐’보다 ‘쌓아 올린 각 층을 어떻게 활용할 것인가’에 초점을 맞추고 있다. 메모리와 인공지능(AI) 가속기 간 반복되는 데이터 전송이 연산 지연과 전력 효율 저하의 주요 원인으로 지목되고 있기 때문이다. 최 상무는 “데이터 처리 지연을 없애기 위해 로직·메모리 배치를 최적화하고 있다”고 설명했다.
대역폭은 칩(다이) 간 거리를 대폭 줄인 이른바 ‘수직 고속도로’를 구축해 획기적으로 개선한다. 고대역폭메모리(HBM)가 실리콘관통전극(TSV) 기술로 D램 다이를 수직 연결해 대역폭을 극대화한 것과 같은 원리다. 최 상무는 전력·열 효율과 관련해선 “구조적 효율성을 높여 와트당 성능을 극대화하고 있다”고 말했다. 그러면서 “3차원(3D)의 최종 목표는 단일 비트데이터를 이동시키는 데 필요한 에너지를 줄이는 것”고 강조했다.
삼성전자는 CUBE 전략을 바탕으로 8세대 제품 HBM5를 비롯한 차세대 메모리 기술 확보에 속도를 내는 중이다. 나아가 HBM4E 대비 컴퓨팅 성능 최대 8배, 와트당 성능 3배 향상 및 75~90% 수준의 열 저항 감소를 목표로 하는 차세대 3D 아키텍처 zHBM은 기존의 벽을 허물 혁신적인 제품으로 평가받고 있다. zHBM은 HBM을 그래픽처리장치(GPU), 신경망처리장치(NPU) 등 연산용 칩 위에 수직으로 쌓아 올린 반도체다. 삼성전자는 관계자는 “시장 수요에 적기 대응하며 글로벌 메모리 시장 주도권을 지속 확대해 나갈 것”이라고 말했다.