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‘점유율 10%’ CXMT 공세에…韓, 하반기 HBM4 승부수 [biz-플러스]

中 D램, 점유율 두자릿수 첫 진입
하이닉스 14%P 줄며 추격 허용
LPDDR6 양산에 캐파도 2배 증설
삼성 1위 지켰지만 위협 거세져
韓 대응카드 된 HBM도 공수 치열
중국 베이징 외곽에 위치한 창신메모리테크놀로지(CXMT) 공장 입구. AFP연합뉴스 중국 베이징 외곽에 위치한 창신메모리테크놀로지(CXMT) 공장 입구. AFP연합뉴스중국 창신메모리(CXMT)가 글로벌 D램 시장에서 처음으로 두 자릿수 점유율을 확보했다. 공격적인 증설과 기술 추격을 앞세워 삼성전자와 SK하이닉스가 장악해온 메모리 시장의 판도를 흔들고 있다. 중국 반도체 굴기가 현실화되는 가운데 한국 기업들은 하반기 차세대 고대역폭메모리(HBM) 주도권 확보를 통해 기술 격차 확대에 나섰다.

4일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 CXMT는 올해 2분기 글로벌 D램 시장에서 매출 기준 10%의 점유율을 기록했다. 지난해 같은 기간보다 6%포인트 상승한 수치다.

CXMT의 분기 점유율이 두 자릿수에 올라선 것은 이번이 처음이다. 2023년까지만 해도 1% 미만에 불과했던 점유율은 지난해 말 8%까지 올라선 데 이어 불과 몇 분기 만에 10% 벽을 넘어섰다.

삼성전자(005930)와 SK하이닉스(000660)가 양분해온 글로벌 D램 시장에서 중국 업체가 의미 있는 점유율을 확보했다는 점에서 업계는 이번 기록을 중국 메모리 굴기의 분기점으로 보고 있다.

물량전 준비하는 CXMT
생산능력 두 배 확대 속도
CXMT의 추격은 더 빨라질 가능성이 높다. 최근 기업공개(IPO)를 통해 대규모 투자 재원을 확보한 데 이어 생산라인 확대에도 속도를 내고 있기 때문이다.

CXMT는 허베이와 상하이를 중심으로 D램 생산시설 증설을 추진하고 있다. 업계에서는 현재 웨이퍼 기준 월 30만 장 수준인 생산능력이 2028년까지 최대 60만 장으로 확대될 것으로 전망한다. 이는 SK하이닉스의 현재 생산능력(약 59만 장)과 맞먹는 규모다.

CXMT는 단순한 범용 메모리 공급을 넘어 첨단 시장 진입도 서두르고 있다. 최근 샤오미와 협력해 저전력 더블데이터레이트(LPDDR)6 메모리 공급에 나서는 등 삼성전자와 SK하이닉스가 주도해온 고부가 메모리 영역까지 영역을 넓히고 있다.

SK하이닉스, HBM 집중에
D램 시장 점유율 하락해
CXMT의 부상은 글로벌 2위와 3위 기업인 SK하이닉스와 마이크론을 위협하고 있다. SK하이닉스의 2분기 D램 시장 점유율은 25%로 지난해 같은 기간보다 14%포인트 하락했다. 같은 기간 CXMT 점유율은 4%포인트에서 10%로 올라서면서 양사의 격차는 35%포인트에서 15%포인트까지 좁혀졌다.

반면 삼성전자는 지난해보다 점유율을 소폭 끌어올리며 38%로 글로벌 1위 자리를 지켰다.

업체별 희비를 가른 것은 범용 D램이었다. 삼성전자는 2분기 가격 상승 폭이 컸던 범용 D램 공급 비중을 확대하면서 수익성을 크게 끌어올렸다. CXMT 역시 한국 기업들이 상대적으로 비중을 줄이고 있는 1a D램 등 구세대 범용 제품 시장을 집중 공략하며 빠르게 점유율을 확대했다.

반면 SK하이닉스는 HBM 중심의 고부가 제품 전략에 집중했다. 실제 SK하이닉스는 2분기 HBM 시장에서 50%의 점유율로 글로벌 1위를 유지했다.

범용 D램 지나 HBM4 전쟁 돌입
삼성전자·SK하이닉스 1위 경쟁
상반기 범용 D램 경쟁이 치열했다면 하반기 메모리 시장의 승부처는 HBM으로 이동하고 있다. 엔비디아의 차세대 AI 칩 ‘베라 루빈’을 비롯해 글로벌 빅테크들의 신규 AI 가속기 출시가 예정되면서 최신 HBM 수요가 빠르게 늘고 있기 때문이다.

유진투자증권에 따르면 삼성전자 HBM의 Gb(기가비트)당 평균판매가격(ASP)은 올해 1.61달러로 범용 D램(1.82달러)보다 낮다. 하지만 HBM4 공급이 본격화되는 내년에는 3.52달러까지 올라 범용 D램(2.36달러)을 넘어설 것으로 전망된다.

HBM이 단순한 기술 경쟁을 넘어 수익성을 좌우하는 핵심 제품으로 자리 잡고 있는 셈이다. 이에 삼성전자와 SK하이닉스는 HBM4 공급 확대에 속도를 내고 있다.

삼성전자는 3분기 실적 발표에서 HBM4 매출을 2분기 대비 3배 이상 확대하겠다고 밝혔다. SK하이닉스 역시 HBM4 수율 안정화를 마친 뒤 본격적인 증산 단계에 들어갔다. 양사는 내년에는 HBM4보다 가격이 두 배 이상 높은 차세대 HBM4E 양산까지 준비하며 초격차 확보에 나선다는 계획이다.

HBM 시장에서도 경쟁은 이미 본격화됐다. SK하이닉스는 여전히 1위를 유지하고 있지만 삼성전자가 빠르게 추격하고 있다. 삼성전자의 HBM 점유율은 한 분기 만에 21%에서 33%로 상승했다. 같은 기간 SK하이닉스와의 격차도 37%포인트에서 17%포인트로 줄었다.

SK하이닉스가 HBM3E 공급에서 우위를 유지하고 있지만 삼성전자가 업계 최초로 HBM4 양산 출하에 성공하며 추격 속도를 높였다는 평가다.

삼성전자의 HBM3E와 HBM4. 연합뉴스 삼성전자의 HBM3E와 HBM4. 연합뉴스CXMT까지 HBM3E 양산 승부수
메모리 패권 위해 기술 개발 박차
하지만 중국 CXMT의 추격은 이제 HBM 시장으로 향하고 있다. 현재 HBM 시장에서 존재감은 미미하지만 CXMT는 HBM3E 양산을 추진하고 있다. 업계에서는 중국 업체가 내년 이후 한 세대 차이까지 기술 격차를 좁힐 가능성을 우려하고 있다.

미국 마이크론도 추격에 나섰다. 마이크론은 2분기 HBM 점유율은 18%로 소폭 줄었지만 전체 D램 시장 점유율은 24%까지 확대하며 SK하이닉스(25%)를 턱밑까지 추격했다.

업계 관계자는 “글로벌 메모리 시장은 이제 ‘삼성·SK 양강 구도’를 넘어 중국과 미국 업체까지 가세한 3강 1중 양상으로 빠르게 재편되고 있다”고 설명했다.

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