'반도체 신화' 삼성전자·SK하이닉스, 올해 영업익 650兆 파죽지세

요약

삼성전자와 SK하이닉스가 글로벌 AI 열풍에 따른 고성능 메모리 반도체 수요 폭발과 가격 상승에 힘입어 올해 합산 영업이익 650조원을 넘는 사상 최대 실적을 기록할 전망이다.
양사는 HBM 등 고부가가치 제품을 중심으로 압도적인 수익성을 입증하며 대규모 연구개발과 시설투자도 이어가고 있다.

국내 반도체 산업을 이끄는 양대 산맥인 삼성전자와 SK하이닉스가 올해 합산 영업이익 650조원을 넘는 사상 최대 규모의 실적을 기록할 전망이다. 글로벌 AI(인공지능) 열풍에 따른 고성능 메모리 반도체 수요 폭발에 가격 상승세가 맞물리면서 국내 반도체 기업은 새로운 신화를 쓰고 있다.

금융정보업체 에프앤가이드에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스의 올해 합산 영업이익 전망치는 650조4016억원이다. 3분기 합산 영업이익만 200조원에 육박할 것으로 예상되는 등 역대급 '어닝 서프라이즈' 기조가 이어지고 있다.

삼성전자의 올해 영업이익 전망치는 385조7204억원이다. 이미 올해 상반기에 영업이익 146조6300억원을 달성했다. 3분기에는 110조3808억원, 4분기에는 128조7096억원을 기록할 것이라는게 증권가의 예상이다.

SK하이닉스의 올해 영업이익 예상치는 264조6812억원이다. 상반기에 98조1529억원의 영업익을 올린 SK하이닉스는 3분기 78조577억원 4분기 88조4706억원을 기록할 것으로 관측된다.

삼성전자가 올해 주주총회장에서 공개한 HBM4 및 HBM4E / 사진=유호승 기자

AI 인프라 확충에 HBM·eSSD 품귀 현상 지속양사가 압도적인 실적을 기록할 수 있는 것은 글로벌 빅테크 기업의 공격적인 AI 인프라 투자가 지속되며 고부가가치 메모리 반도체의 수요가 폭발한 덕분이다.

올해 상반기 사업보고서에 따르면 삼성전자의 메모리 평균판매가격(ASP)은 지난해 평균보다 220% 상승했다. SK하이닉스 역시 일반 D램의 ASP는 30%대 중반, 낸드플래시는 50% 중반 수준으로 올랐다.

두 기업의 영업이익률은 50%를 상회하며, 최근 분기 이익률이 38~42% 수준에 그친 마이크론테크놀로지와 비교해 압도적인 수익성을 입증했다.

글로벌 IT 기업의 AI 서버 구축 경쟁이 가속화되면서 5세대 및 6세대 HBM(고대역폭메모리)을 비롯해 서버용 고용량 엔터프라이즈 SSD(eSSD) 수요는 끝을 모르고 증가하는 추세다.

삼성전자는 최선단 1c D램과 4나노 베이스 다이를 적용한 HBM4 양산 출하를 본격화하고 있다. 1초당 3.6TB에 달하는 업계 최고 성능의 HBM4E 12단 샘플 출하를 이어가며 차세대 AI 메모리 시장에서 초격차 기술력을 확보했다.

SK하이닉스 또한 HBM 및 고용량 서버 D램의 판매를 빠르게 늘리는 동시에 낸드플래시 부문에서도 독보적인 기술력을 과시하고 있다. 321단 QLC(쿼드러플레벨셀) 낸드를 개발해 eSSD 제품 양산에 적용 중이다. QLC는 낸드플래시 셀 하나에 4비트의 데이터를 저장해 같은 면적에서 저장 용량을 늘리는 방식이다.

업계 관계자는 "주요 빅테크 기업에 있어 메모리 반도체의 대량 확보는 지속생존이 달린 문제"라며 "가격 상승 저항을 크게 받지 않는 고부가가치 제품 위주로 장기공급계약(LTA)이 체결되면서 삼성전자와 SK하이닉스 모두 수익성이 높아지고 있다"고 말했다.

SK하이닉스의 HBM3E 및 HBM4, HBM4E 실물 / 사진=유호승 기자

지속성장 및 미래 경쟁력 확보 위해 R&D 대규모 투자삼성전자와 SK하이닉스는 현재 성적에 만족하지 않고 지속성장 및 미래 경쟁력 확보를 위해 연구개발(R&D)에 대규모 투자를 하고 있다. 초격차 기술 개발과 생산 인프라 확충에 대대적인 자금을 투입하며 단기 호황을 넘어선 장기 지속성장 기반을 다지는 모습이다.

삼성전자는 올해 상반기 R&D 투자에 27조3627억원을 집행했다. 시설투자에는 28조원을 투입하는 등 차세대 공정 증설과 인프라 확보에도 집중했다.

SK하이닉스 역시 상반기에 연구개발비용으로 6조428억원을 투입했다. 기계장치 등 보완투자에는 17조5950억원을 집행하는 등 첨단 공정으로의 전환 및 생산능력 확충에 총력을 기울였다.

이들 기업이 추진하는 대규모 R&D 및 시설투자는 AI 메모리 시장에서의 초격차 기술 리더십을 공고히 하는 핵심 동력이 될 것으로 예상된다.

삼성전자는 최선단 1c 디램과 4나노 베이스 다이를 적용한 메모리 반도체 양산 출하를 본격화하고 있다. 1초당 3.6TB에 달하는 업계 최고 성능의 HBM4E 12단 샘플 출하도 완수해 차세대 AI 메모리 시장에서 초격차 기술력을 입증했다.

SK하이닉스 또한 HBM 및 고용량 서버 디램의 판매를 빠르게 늘리는 동시에 낸드플래시 부문에서도 321단 QLC(쿼드러플레벨셀) 낸드를 개발해 eSSD 제품 양산에 적용하는 등 전방위적인 기술 혁신을 이어가고 있다.

삼성전자 관계자는 "사상 최대 실적이라는 성과에 안주하지 않고 차세대 공정 증설과 인프라 확보에 끊임없는 투자를 하고 있다"며 "세계 최고 수준의 연구개발(R&D) 역량을 바탕으로 혁신 기술 및 제품을 지속적으로 출시하며 글로벌 AI 메모리 시장에서 초격차를 계속 유지해 나가겠다"고 강조했다.