중국 베이징에 있는 중국 최대 메모리 반도체 업체 CXMT의 생산시설. 로이터=연합뉴스 중국 최대 메모리 반도체 기업 창신메모리(CXMT)가 차세대 D램 기술인 ‘4F²(스퀘어)’를 적용한 서버용 제품을 연내 출시하겠다고 밝히면서 13일 글로벌 반도체주가 크게 흔들렸다. 12일(현지시간) 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)에 따르면 차오칸위 CXMT 사장은 지난 10일 중국 상하이에서 열린 콘퍼런스에서 “4F² 기술에서 핵심적인 진전을 이뤘다”며 연말까지 이를 적용한 서버용 DDR5 모듈(RDIMM) 제품을 출시하겠다고 밝혔다.
시장은 즉각 반응했다. 12일 뉴욕증시에서 미국 메모리 기업 마이크론은 3.88% 하락했고 필라델피아반도체지수도 2.67% 내렸다. 13일 오전 국내 증시에서도 삼성전자와 SK하이닉스가 한때 각각 6%, 9% 넘게 떨어졌다. CXMT가 범용 D램을 넘어 선두 업체들이 개발 중인 차세대 기술과 고부가 서버 D램까지 치고 올라올 수 있다는 우려가 번진 것이다.
4F²는 현재 상용 D램에 주로 적용되는 6F²보다 메모리 셀 면적을 줄이는 차세대 구조다. 단순 면적 기준으로 셀 크기를 약 33% 줄여 동일 면적에 이론상 50% 더 많은 셀을 배치할 수 있다. 미세공정만으로 집적도를 높이는 데 한계가 가까워지자 트랜지스터를 수직으로 세우고 셀과 주변회로를 분리하는 등 구조 자체를 바꾸는 방식이다. 삼성전자도 4F²와 수직 채널 트랜지스터(VCT)를 적용한 차세대 D램을 개발하고 있다. SK하이닉스 역시 지난해 10나노급 이하 D램에 4F² VG(수직 게이트)를 적용하고 웨이퍼 본딩을 활용하는 기술 로드맵을 공개했다.
다만 CXMT의 발표만으로 실제 양산 경쟁력을 가늠하기에는 이르다는 평가다. CXMT는 제품 사양은 물론 수율과 다이 크기, 소비전력, 웨이퍼 투입량, 고객 인증 결과 등을 공개하지 않았다. SK하이닉스 연구원 출신 정인성 작가는 “설령 CXMT가 4F² 제품을 연말까지 개발한다고 해도 시장에 영향을 줄 만큼 대규모 물량이 나올지는 의문”이라고 말했다.
과거에도 개발 계획 발표와 실제 대량 생산 사이에는 시차가 있었다. 2022년 당시 대만 언론 등을 통해 CXMT가 그해 말 DDR5 양산을 목표로 한다는 계획이 알려졌지만, CXMT 칩을 탑재한 DDR5 제품이 시장에서 본격적으로 확인된 건 2024년 말이었다. 지난해에도 업계에선 CXMT가 신형 DDR5의 수율과 안정성 문제로 양산 확대에 시간이 걸리고 있다는 평가가 나왔다.
지난 12일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 'OCP Global Summit 2026'에서 삼성전자 DS부문 메모리사업부 AE팀 심호준 상무가 차세대 메모리 기술을 발표하고 있다. 사진 삼성전자 세계 메모리 1위 기업 삼성전자는 기술 경쟁에 속도를 내고 있다. 삼성전자는 13일 미국 실리콘밸리에서 열린 ‘오픈컴퓨트프로젝트(OCP) 글로벌 서밋 2026’에서 8세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5와 커스텀 HBM, 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 기반 메모리 확장 기술, 차세대 SSD 등을 공개했다. HBM뿐 아니라 시스템 메모리와 스토리지까지 인공지능(AI) 인프라 전반으로 기술 경쟁력을 넓히겠다는 전략이다. 한국 메모리 기업들이 생산능력을 더 빠르게 늘려 중국과의 격차를 벌려야 한다는 주장도 나온다. 최태원 SK그룹 회장이 지난 11일 중국 상하이에서 “중국이나 미국 마이크론이 더 빠른 속도로 증설해버리면 우리나라의 시장점유율은 줄어든다. 빨리 (생산 시설을) 확장해야 한다”고 말한 것도 이와 같은 맥락이다. 이종환 상명대 시스템반도체학과 교수는 “생산능력과 기술에서 압도적 격차를 벌려 글로벌 점유율 80% 수준을 지키려면 기업의 투자뿐 아니라 정부가 얼마나 신속하게 지원책을 실행하느냐도 중요하다”고 말했다.