CXMT 발표 직후 삼전닉스 주가 급락, 양산 경제성이 관건
(왼쪽부터)송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(CTO) 사장, 이준석 개혁신당 의원, 안현 SK하이닉스 개발총괄(CDO) 사장이 14일 서울 코엑스에서 열린 ‘제28회 반도체대전(SEDEX 2026)’ 현장에서 SK하이닉스 부스를 둘러보고 있다. 윤우열 기자 cloudancer@donga.com중국 최대 메모리 업체인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 D램 셀 구조인 ‘4F²(포에프스퀘어)’ 신기술을 적용한 차세대 서버용 D램 연내 출시를 예고한 가운데, 삼성전자도 동일 기술을 개발 중이라는 입장을 재차 밝혔다.송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 14일 서울 코엑스에서 열린 ‘제28회 반도체대전(SEDEX 2026)’ 현장에서 ‘삼성전자도 4F²를 개발하고 있느냐’는 질문에 “그렇다”고 답했다. 개발 진행 상황에 대한 물음에는 “열심히 하고 있다”라고만 말했다.
송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(CTO) 사장, 이준석 개혁신당 의원이 14일 서울 코엑스에서 열린 ‘제28회 반도체대전(SEDEX 2026)’ 현장에서 삼성전자 부스 설명을 듣고 있다. 윤우열 기자 cloudancer@donga.com4F²는 D램에서 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀이 차지하는 면적을 줄여, 같은 면적에 더 많은 데이터를 담도록 하는 기술이다. 현재 주류인 6F² 구조와 비교하면 셀 면적이 약 30% 작아진다.
앞서 차오칸위 CXMT 사장이 최근 중국 상하이에서 열린 콘퍼런스에서 연말까지 4F² 기반의 서버용 DDR5 RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module)을 선보이겠다고 밝히면서 글로벌 반도체 시장에 큰 충격을 준 바 있다. 서버용 메모리는 삼성전자·SK하이닉스·마이크론이 강세를 보여온 시장이고, CXMT는 주로 범용 제품에 집중해 왔기 때문에 메모리 기술력 격차가 크게 좁혀진다는 우려가 번진 것이다. 이에 따라 13일 삼성전자 주가는 7.39%, SK하이닉스 주가는 10.09% 급락하기도 했다.
다만 4F²는 삼성전자와 SK하이닉스도 일찌감치 준비한 기술이다. SK하이닉스는 지난해 6월 IEEE VLSI 심포지엄에서 10나노 이하 구간에 4F² VG(Vertical Gate) 플랫폼을 도입하겠다는 구상을 밝힌 바 있다. 올해 2월 삼성전자도 국제고체회로학회(ISSCC)에서 4F² 구조의 16Gb D램 시험용 칩을 제작해 실제 작동에 성공했다는 논문을 발표했다.
송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(CTO) 사장, 이준석 개혁신당 의원이 14일 서울 코엑스에서 열린 ‘제28회 반도체대전(SEDEX 2026)’ 현장에서 삼성전자 파트너사인 동진쎄미켐 부스 설명을 듣고 있다. 윤우열 기자 cloudancer@donga.comCXMT의 연내 출시 계획도 대량 양산이나 기술 우위를 뜻하지는 않는다. 구체적인 제품 사양과 출시 시점이 공개되지 않았고, 수율과 안정성, 고객 확보 등 넘어야 할 과제가 남아 있다. 업계는 CXMT와 삼성전자, SK하이닉스가 4F² 기술을 실제 제품으로 이어가는 시점과 수율·원가 경쟁력 등을 주시하고 있다.한편 이날 송 사장은 SEDEX 2026 현장에서 이준석 개혁신당 의원과 함께 삼성전자를 비롯한 동진쎄미켐, 신성이엔지 등 파트너사 부스를 방문해 핵심 사업에 대한 설명을 들었다. 아울러 안현 SK하이닉스 개발총괄(CDO) 사장과 함께 SK하이닉스 부스를 둘러봤다.