안현 사장, 메모리 전체 구조 최적화 강조
삼성전자, 차세대 메모리·패키징 선보여
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장이 14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 제28회 반도체대전(SEDEX 2026) 키노트 스피치에서 'AI 시대, 메모리 혁신의 방향을 묻다'를 주제로 기조강연하고 있다. 뉴시스 인공지능(AI) 추론 수요가 급증하면서 개별 메모리 성능을 넘어 전체 구조를 최적화하는 방향으로 반도체 업계의 경쟁이 확대되고 있다. SK하이닉스는 고대역폭메모리(HBM) 고도화와 함께 반도체 칩을 수직으로 쌓는 3차원(3D) 적층 D램, HBM보다 저장 용량이 10배 큰 고대역폭플래시(HBF) 등 차세대 메모리 기술을 내세웠다. 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘제28회 반도체대전(SEDEX) 2026’ 기조연설에서 AI 추론 시장의 급격한 성장세를 설명하며 “AI 인프라의 성능 규모가 2030년에는 올해 대비 약 20배까지 커질 것”으로 전망했다.
안 사장은 AI 추론 시장이 ‘작업 복잡도’와 한 번에 처리하는 정보의 양인 ‘컨텍스트 길이’, ‘추론 요청량’ 등 세 가지 축을 중심으로 가파르게 성장하고 있다고 진단했다. AI 추론 수요 폭증으로 이전에 처리한 정보를 저장해 재활용하는 ‘KV캐시’ 용량 역시 크게 늘고 있고, 이에 따라 HBM와 D램, 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 서로 다른 메모리 계층 간 데이터 이동에서 병목 현상이 발생해 AI 처리 속도가 느려지고 전력 소모가 가중되고 있다는 설명이다.
14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 '제28회 반도체대전'을 찾은 관람객들이 SK하이닉스 부스를 살펴보고 있다. 권현구 기자 SK하이닉스가 해법으로 제시한 차세대 기술은 3D 적층 D램이다. 그래픽처리장치(GPU), 신경망처리장치(NPU) 등 로직 반도체 위에 D램을 쌓아 연산기와 데이터 간 물리적 거리를 줄이는 기술이다.
또 다른 해법인 HBF는 HBM의 실리콘관통전극(TSV) 적층 및 고속 입출력 기술을 낸드플래시에 적용한 차세대 메모리로, HBM과 D램 사이에 새로운 메모리 계층을 구축하는 방식이다. SK하이닉스는 HBF의 대역폭을 동세대 HBM의 절반 수준으로 확보하면서 용량은 약 10배로 늘리는 것을 목표로 하고 있다.
14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 '제28회 반도체대전'을 찾은 관람객들이 삼성전자 부스를 살펴보고 있다. 권현구 기자 삼성전자도 SEDEX 2026에서 데이터 이동 효율성을 극대화하는 차세대 메모리와 첨단 패키징 기술을 선보였다. 삼성전자는 AI용 고성능 메모리 HBM4E(7세대 HBM)와 메모리 내부에 연산 기능을 통합한 LPDDR-PIM 등을 전시했다. 또 3D 메모리 기술 기반 ‘zHBM’와 엣지 AI에 최적화된 3D 낸드 솔루션 ‘zNAND-O’의 목업도 공개했다. 하정우 국가AI전략위원회 부위원장은 삼성전자 부스를 찾아 “반도체 산업의 글로벌 넘버원 기업으로, 앞으로 AI와 반도체를 연결해 어떻게 발전할 수 있을지 로드맵을 확인할 수 있었다”고 평가했다.
한국반도체산업협회가 주관하는 이번 전시회에는 반도체 관련 기업 300개가 참가해 888개 부스를 운영한다.