일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO) 등 글로벌 빅테크 수장들이 중국산 메모리 반도체의 부상을 잇달아 언급하고 나섰다. 인공지능(AI) 산업 확산으로 메모리 공급 부족과 가격 급등이 이어지자 중국의 증산 가능성을 앞세워 삼성전자와 SK하이닉스의 가격 협상력을 흔들려는 움직임으로 풀이된다.
19일 업계에 따르면 머스크 CEO는 지난 15일 자신의 소셜미디어 엑스(옛 트위터) 계정을 통해 "중국은 2028년 엄청난 양의 메모리 반도체를 생산할 것"이라고 밝혔다. 그는 최근 메모리 반도체 수급에 대한 불만을 지속적으로 표출하고 있다. 지난 11일 "문제는 RAM 공급"이라고 언급한 데 이어, 12일에는 중국의 제조 기술 확보 시 대규모 증산 가능성을 시사했다.
특히 13일에는 "마이크론은 향후 메모리 가격과 관련해 합리적인 태도를 보여왔지만, 다른 업체들은 터무니없이 높은 가격을 요구해왔다"고 비판했다. 특정 기업명을 명시하지는 않았지만 업계는 해당 발언이 글로벌 메모리 시장 점유율 1, 2위인 삼성전자와 SK하이닉스를 겨냥한 것으로 보고 있다. 테슬라를 비롯해 스페이스X, xAI 등 머스크가 운영하는 기업들은 자율주행과 AI 데이터센터 구축을 위해 막대한 양의 메모리 반도체를 필요로 하기 때문이다.
다른 빅테크 기업에서도 유사한 기류가 감지된다. 존 터너스 애플 CEO는 15일 미국 타임지와의 인터뷰에서 현재의 메모리 공급 제약 상황을 '절대적인 위기'로 규정하며, 향후 중국산 메모리 도입 가능성을 열어두겠다는 취지의 입장을 밝혔다.
업계의 시선은 머스크가 지목한 2028년으로 향하고 있다. 2028년은 한국과 미국의 주요 메모리 기업들이 증설한 생산능력이 본격 가동되는 시기이자, 중국 CXMT의 월간 D램 웨이퍼 생산능력이 세계 3위권인 50만∼60만장 규모로 도약할 것으로 전망되는 시점이다.
다만 중국의 범용 D램 생산량 확대가 첨단 메모리 시장에 미치는 영향은 제한적일 것이라는 분석이 나온다. 김동원 KB증권 리서치본부장은 "삼성전자와 중국 CXMT의 D램 공정 기술 격차는 양산 시점을 기준으로 5∼7년에 달하는 것으로 판단된다"며 "CMXT가 기존 공정의 기술적 완성도를 높이는 동안 삼성전자는 차세대 첨단 반도체 생산공장과 HBM을 중심으로 기술 고도화를 지속하고 있어 중국의 기술 추격에 대한 시장 우려는 과도하다"고 말했다.
업계 관계자는 "머스크가 중국의 메모리 증산 가능성을 거론하는 것은 실제 공급망을 바꾸겠다는 뜻보다 가격 협상에서 우위를 확보하려는 압박 성격이 강하다"며 "범용 D램은 중국산으로 일부 대체할 수 있어도 AI 서버에 들어가는 고성능 메모리는 수율과 전력 효율, 고객사 인증까지 맞춰야 해 단기간에 공급선을 바꾸기 어렵다"고 말했다. 이어 "한국 메모리 기업들은 중국이 가격 결정력을 키우는 동안 HBM과 첨단 D램으로 기술 격차를 더 벌려놓아야 한다"고 덧붙였다.